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IXFN 44N50Q
IXFN 48N50Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 20 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
30
42
7000
960
230
33
22
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
R G = 4.7 ? (External),
75
ns
M4 screws (4x) supplied
t f
10
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Min.
Inches
Max.
Q g(on)
190
nC
A
B
31.50
7.80
31.88
8.20
1.240
0.307
1.255
0.323
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
40
86
0.05
0.26
nC
nC
K/W
K/W
C
D
E
F
G
H
J
K
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
L
M
N
0.76
12.60
25.15
0.84
12.85
25.42
0.030
0.496
0.990
0.033
0.506
1.001
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
O
P
Q
R
S
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
I S
V GS = 0 V
48
A
T
U
24.59
-0.05
25.07
0.1
0.968
-0.002
0.987
0.004
I SM
V SD
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
192
1.5
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.0
10
250
ns
μ C
A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
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